DMP6185SE-13 与 BSP613P H6327 区别
| 型号 | DMP6185SE-13 | BSP613P H6327 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3-DMP6185SE-13 | A-BSP613P H6327 |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 3.5mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 150mΩ@2.2A,10V | 130mΩ@2.9A,10V |
| 上升时间 | - | 9ns |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | - | 22nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 2.7S |
| 封装/外壳 | SOT-223 | SOT-223 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 3A | 2.9A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 6.5mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 下降时间 | - | 7ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 708pF @ 30V | - |
| 高度 | - | 1.6mm |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.2W(Ta) | 1.8W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 26ns |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 系列 | 汽车级,AEC-Q101 | BSP613 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 典型接通延迟时间 | - | 6.7ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP6185SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.2W(Ta) 150mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 3A 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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BSP613P H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
60V 2.9A 130mΩ@2.9A,10V ±20V 1.8W P-Channel -55°C~150°C SOT-223 车规 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
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STN3P6F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223-4 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
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STN3P6F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223-4 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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|
STN3P6F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223-4 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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